SJ 50033.49-1994 半导体分立器件.2CJ4220系列阶跃二极管详细规范
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ID： |
E1CFAF4A183F4E8990EC7B3D91A261FB |
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文件大小(MB)： |
0.35 |
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页数： |
8 |
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033.49-94,半导体分立器件,2CJ4220系列阶跃二极管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detial specification for step recovery diodes for 2CJ4220 series,1994-0%30 发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,2CJ4220系列阶跃二极管,详细规范,Semiconductor discrete device,Dedal specification for step recovery diodes for,2CJ4220 series,SJ 50033.49—94,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 2cM220系列阶跃二极管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3 ,!器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 6570—86,GJB 33-85,GJB 128—86,GJB 1557—92,微波二极管测试方法,半导体分立器件总规范,半导体分立器件试验方法,半导体分立器件微波二极管外形尺寸,3要求,3,I 详细要求,各顼要求应符合GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为铜,表面涂层应为金,中华人民共和国电子工业部!994-09 30发布1994-12-01 实施,SJ 50033.49-94,3.2.2 外形尺,外形尺寸按GJB 1557-92的W7-01型,如图1,mm,符号,尺,min,寸,max,初2.54 2.66,虹)1 1.72 1.88,怛0.94 LOO,H 2.8 3.6,用L50 2.10,3.3 最大额定值和主要电特性,工3.1最大额定值,型 号,^RM,(V),1),h,(mA) (V),2CJ4221,2CJ4222,20 20 -65- +175 75— +125,注ノ）T.mb >25匕时按0.2mA/t线性降额,3.3.2主要电特性（7;城=25じ）,\特,、性,、和,型号キ,型号 ヾ,Vrr,Jr = 10/xA,(V),%,/p = 10mA,(V),Cj,VK - 6V,/ 包 1MHz,(pF),ZF = 10mA,VR = 10V,(ps),r,/F = 5mA,Ir = 40mA,(ns),Q,Vr = 6V,/,=9.375 GHs,Z(thjr,脉宽：,10m国,If,=500mA,(t/W),最小值最大值最小值最大值最大值最小值最小值最大值,2CJ4221,20 1 0.2 0.8,60,3 11 300,2CJ4222 50,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 6570及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定,4质量保证规定,-2 -,SJ 50033.4994,4.1 抽样和检险,抽样和检验应按GJB 33的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予以剔除,4.3.I功率老化,筛选,见GJB 33表2,试验方法,GJB 128方法,测 试,3热冲击1051 除循环20次外,其余同试验,条件F,7中间测试匕br）、Vf失效判据同最后测试,8功率老化1038 见4.3」,9最后测试,1 4ら く。. IV;,其他参数:按本规范表1的A2和A4分组,ア3=85C ； IFM = 10mA ; f = 50Hz ; VKM = 17V o,4.4 质量一致性检脸,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范相应表的规定,表1 A组检睑,检験或试验,GB 8570,LTPD 符号,极限值,单位,方法条 件最小值最大值,A1分组,外观及机械检査GJB 128,2071,5,A2分组,反向击穿电压,正向电压,结电容,3.1,3.3,3.5,fR - IOjaA,VF = 10 mA,Ir = 6U,/ 二 !MHs,5,v同,Vf,a,20,0.2,1,0.6,V,V,pF,3,SJ 50033.49-94,续表1,检验或试曇,GB 8570,LTPD 符号,极隈值,单位,方法条 件最小值最大值,A3分组,高温工作J - 1251c,5,反向击穿电压IR = 10rA 匕ER) 16 V,低温工作T.哂--55C r,反向击穿电压Ir 二 1 加A 匕BR) 16 V,A4分组,阶跃时间3.9 /F 二 10mA,VR 二 !0V,5,%,2CJ4221 80 簷,2CJ4222 50 ,雜,少子寿命3.8 % - 5 mA,厶=40 mA,r 8 ns,优 值5.8 % = 6V,/ = 8.375GHz,Q 11,表2 B组检验,检验或试验,GJB 123,LTPD ……
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